SiC 웨이퍼 결함 검사 기준 파장 424nm는 459nm, 한국전기연구원이 15년 만에 바로잡았다
한국전기연구원 연구팀이 SiC 웨이퍼의 (4,1) 프랭크형 적층결함이 내는 빛을 424nm가 아닌 459nm로 규명했다. 연구팀은 이를 IEC 기준 개정의 근거로 쓸 수 있다고 밝혔다.
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