GaN의 진짜 관문은 성능이 아니라 수명이다: 삼성 8인치 파운드리 시험생산이 남긴 좌표

삼성전자가 기흥에 구축한 월 1300~1500장 규모 8인치 GaN 파운드리 전용라인의 시험생산에서 일부 칩이 100~200도·1000시간 조건에서 작동을 멈추는 현상이 확인됐다고 디일렉이 7월 31일 보도했다. 삼성은 '양산 전 개발단계 이슈'라며 불량 규정에 선을 그었지만, 이 장면은 국산 화합물반도체가 넘어야 할 관문이 스위칭 성능이 아니라 고온 장기 신뢰성임을 분명히 보여준다. 동시에 마스크 비용이 낮아 멀티파운드리가 가능한 GaN의 구조적 특성, 그리고 8인치 공급 부족이 심화되는 국면은 국산 전력반도체 생태계에 오히려 시간을 벌어주는 요인으로 읽힌다.