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SiC를 '자동으로 심는다': 로옴 상면 방열 패키지가 여는 EV 전력회로 박형화

로옴이 방열면을 패키지 윗면에 배치한 4세대 SiC MOSFET용 면실장 패키지 'TSC3PAK'를 개발·양산했다. 리드 타입과 동등한 방열 성능을 유지하면서 자동 실장이 가능해, 전기차 온보드차저·전동 컴프레서 같은 고전압 전력회로의 원가와 두께를 동시에 공략한다.

탄화규소(SiC) 전력반도체는 전기차의 효율과 충전 속도를 끌어올리는 핵심 소자로 자리 잡았지만, 정작 패키지(껍데기) 단에서는 오래된 딜레마가 남아 있었다. 큰 전력을 다루려면 열을 잘 빼줘야 하는데, 방열 성능이 좋은 리드 타입 패키지(TO-247-4L 등)는 다리를 하나하나 꽂아야 해 자동 실장(SMD)이 어렵고 회로 기판이 두꺼워졌다. 로옴(ROHM)이 7월 9일 공개한 신형 패키지는 바로 이 지점을 겨눈다.

로옴은 자사 4세대 SiC MOSFET를 탑재한 상면 방열 면실장 패키지 'TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)'를 개발했다고 밝혔다. 핵심은 이름 그대로다. 방열면을 패키지 윗면(상단)에 배치하는 독창적 구조를 채택해, 자동 실장이 가능한 SMD 형태이면서도 기존 리드 타입과 동등한 수준의 방열 성능을 유지했다. 표면에 부품을 얹어 한 번에 납땜하는 자동 공정과, 대전력 동작에 필수인 방열이라는 서로 상충하던 두 요구를 한 패키지에 담아낸 셈이다.

고전압 안전 설계도 함께 보강됐다. 로옴은 패키지 표면에 독자적인 홈을 형성하는 방식으로 업계 최고 수준인 6.66mm의 연면 거리를 확보했다고 설명했다. 이를 통해 기존 부품과의 호환성을 유지하면서 오염도 2 환경에서 1200V의 AC 피크 전압에 대응한다. 절연 공정이 간소화되는 만큼 세트(완성품) 업체의 실장 비용을 줄이고 시스템 신뢰성을 높이는 효과가 기대된다는 것이 회사 측 설명이다.

  • 14.00×18.58×3.50mm 상면 방열·자동 실장(SMD) 가능한 TSC3PAK 패키지
  • 6.66mm 표면 홈 구조로 확보한 연면 거리, 오염도 2에서 1200V AC 대응
  • 지난달 양산 4세대 SiC MOSFET 칩 적용, EcoSiC 라인업으로 확대

적용처는 전동화 전력회로의 한복판이다. 로옴은 낮은 ON 저항과 고속 스위칭으로 전력 변환 손실을 줄여, 전기차 내 온보드 차저(OBC)전동 컴프레서, 산업용 태양광(PV) 인버터, 고성능 서버 전원 등 고효율·저전력 구동이 필수인 부품에 최적화됐다고 밝혔다. 회사 관계자는 "전동차의 충전 속도 향상과 주행 거리 연장, 데이터센터 서버의 고효율 동작을 위해 SiC 채용이 급증하고 있다"고 설명했다. 신제품은 지난달부터 양산에 들어갔고, 아로우·코어스태프 등 글로벌 온라인 유통을 통해 구입할 수 있다.

산업적 함의는 SiC 경쟁의 무게중심 이동에 있다. 그동안 SiC 화두는 웨이퍼·칩(다이) 단의 성능과 수율에 쏠렸지만, 실제 EV 성능을 좌우하는 것은 이 칩을 얼마나 얇게·싸게·자동으로 회로에 심느냐다. 상면 방열·SMD 구조는 방열판과 배선 부피를 줄여 OBC·컴프레서 모듈의 박형화와 원가 절감을 동시에 노릴 수 있고, 절연 공정 간소화는 그대로 세트 업체의 조립 비용으로 돌아온다. 800V 고전압 아키텍처가 대중화될수록 이런 패키지·실장 혁신의 가치가 커질 가능성이 거론된다.

결국 전력반도체 경쟁은 '누가 더 좋은 SiC 칩을 만드느냐'에서 '누가 그 칩을 가장 다루기 쉬운 형태로 내놓느냐'로 넓어지고 있다. 소자 성능과 패키지·실장이 맞물릴 때, EV 전력회로의 효율과 원가는 한 단계 더 낮은 지점에서 다시 그어질 수 있다.

※ 본 글은 정보 제공을 위한 산업 분석이며 투자 권유가 아니다. 제품 성능·채용 규모·양산 계획은 회사 발표에 근거하며 향후 시장 반응은 불확실하고, 판단과 책임은 독자 본인에게 있다.

본 기사는 공개된 보도·공시·기업 자료 등을 바탕으로 한 정보 제공 목적의 산업 분석이며, 특정 기업·종목에 대한 투자 권유가 아닙니다. 수치와 전망은 작성 시점 기준이며 오류가 있을 수 있습니다.